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怎么选场效应管(03)
来源: | 作者:yfwdiode | 发布时间: 2021-11-24 | 46 次浏览 | 分享到:

怎么选场效应管(03)

三:取舍MOS管的下一步是零碎的散热请求

须思忖两种没有同的状况,即最坏状况和实正在状况。提议采纳对准于最坏状况的打算后果,由于某个后果需要更大的保险余量,能确保零碎没有会生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量数据;机件的结温等于最大条件量度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大条件量度+[热阻×功率耗散])。依据某个式子可解出零碎的最大功率耗散,即按界说相同于I2×RDS(ON)。咱们已将要经过机件的最大直流电,能够打算出没有同量度下的RDS(ON)。此外,还要办好通路板

及其MOS管的散热。

山崩击穿是指半超导体机件上的反向电压超越最大值,并构成强磁场使机件内直流电增多。晶片分寸的增多会进步防风崩威力,最终进步机件的稳重性。因而取舍更大的封装件能够无效预防山崩。

怎么选场效应管(03)
来源: | 作者:yfwdiode | 发布时间: 2021-11-24 | 47 次浏览 | 分享到:

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三:取舍MOS管的下一步是零碎的散热请求

须思忖两种没有同的状况,即最坏状况和实正在状况。提议采纳对准于最坏状况的打算后果,由于某个后果需要更大的保险余量,能确保零碎没有会生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量数据;机件的结温等于最大条件量度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大条件量度+[热阻×功率耗散])。依据某个式子可解出零碎的最大功率耗散,即按界说相同于I2×RDS(ON)。咱们已将要经过机件的最大直流电,能够打算出没有同量度下的RDS(ON)。此外,还要办好通路板

及其MOS管的散热。

山崩击穿是指半超导体机件上的反向电压超越最大值,并构成强磁场使机件内直流电增多。晶片分寸的增多会进步防风崩威力,最终进步机件的稳重性。因而取舍更大的封装件能够无效预防山崩。